DAMKOVÁ, Jana. Sekvenční růst GaN nanokrystalů na substrát SiO2 modifikovaný metodou FIB [online]. Brno, 2013 [cit. 2019-08-22]. Dostupné z: http://hdl.handle.net/11012/27965. Bakalářská práce. Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. Ústav fyzikálního inženýrství. Vedoucí práce Jindřich Mach.
Uložit do Citace PRO